IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) és IGBT (Insulated Gate Bipoláris Tranzisztor) kétféle félvezető eszköz, három csatlakozóval. Mindkettő áramszabályozásra és kapcsolási célokra szolgál. Mindkét eszköz rendelkezik egy „gate” nevű vezérlőterminállal, de eltérő működési elvei vannak.
GTO (kapu-kikapcsoló tirisztor)
A GTO négy P és N típusú félvezető rétegből készül, és az eszköz felépítése alig tér el egy normál tirisztorhoz képest. Az elemzés során a GTO-t szintén csatolt tranzisztorpárnak tekintik (egy PNP és egy másik NPN konfigurációban), ugyanúgy, mint a normál tirisztoroknál. A GTO három terminálját „anódnak”, „katódnak” és „kapunak” nevezik.
Működés közben a tirisztor vezetőképes, ha impulzust kap a kapu. Három működési móddal rendelkezik, amelyek úgynevezett „fordított blokkoló üzemmód”, „előremenő blokkoló mód” és „előrevezető üzemmód”. Amint a kapu impulzussal aktiválódik, a tirisztor „előre vezető módba” kerül, és addig vezet, amíg az előremenő áram kisebb lesz, mint a „tartóáram” küszöbértéke.
A normál tirisztorok jellemzői mellett a GTO kikapcsolt állapota negatív impulzusokkal is vezérelhető. Normál tirisztoroknál a „ki” funkció automatikusan megtörténik.
A GTO-k tápegységek, és többnyire váltóáramú alkalmazásokban használják.
Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor (IGBT)
Az IGBT egy félvezető eszköz, három terminállal, amelyek „Emitter”, „Collector” és „Gate” néven ismertek. Ez egy olyan típusú tranzisztor, amely nagyobb teljesítményt képes kezelni, és nagyobb kapcsolási sebességgel rendelkezik, ami nagy hatékonyságot biztosít. Az IGBT-t az 1980-as években vezették be a piacon.
Az IGBT rendelkezik a MOSFET és a bipoláris átmenet tranzisztor (BJT) kombinált jellemzőivel. Kapuhajtású, mint a MOSFET, és olyan áramfeszültség-jellemzőkkel rendelkezik, mint a BJT-k. Ezért előnye a nagy áramkezelési képesség és a könnyű vezérlés. Az IGBT modulok (számos eszközből állnak) kilowatt teljesítményt képesek kezelni.
Mi a különbség az IGBT és a GTO között?
1. Az IGBT három kivezetése emitter, kollektor és kapu néven ismert, míg a GTO-nak anódként, katódként és kapuként ismert termináljai vannak.
2. A GTO kapujának csak egy impulzusra van szüksége a kapcsoláshoz, míg az IGBT-nek folyamatos kapufeszültségre van szüksége.
3. Az IGBT egyfajta tranzisztor, a GTO pedig egyfajta tirisztor, amely az elemzés során szorosan összekapcsolt tranzisztorpárnak tekinthető.
4. Az IGBT-nek csak egy PN csomópontja van, és a GTO-nak három van belőle
5. Mindkét eszközt nagy teljesítményű alkalmazásokban használják.
6. A GTO-nak külső eszközökre van szüksége a ki- és bekapcsolási impulzusok vezérléséhez, míg az IGBT-nek nincs szüksége.
