IGBT vs tirisztor
A tirisztor és az IGBT (szigetelt kapus bipoláris tranzisztor) kétféle félvezető eszköz, három kivezetéssel, és mindkettő áramszabályozásra szolgál. Mindkét eszköz rendelkezik egy „gate” nevű vezérlőterminállal, de eltérő működési elvei vannak.
Tirisztor
A tirisztor négy váltakozó félvezető rétegből áll (P-N-P-N formában), ezért három PN átmenetből áll. Az elemzés során ez egy szorosan összekapcsolt tranzisztorpárnak tekinthető (egy PNP és egy másik NPN konfigurációban). A legkülső P és N típusú félvezető rétegeket anódnak, illetve katódnak nevezzük. A belső P típusú félvezető réteghez csatlakoztatott elektródát „kapunak” nevezik.
Működés közben a tirisztor vezetőképes, ha impulzust kap a kapu. Három működési móddal rendelkezik, amelyek úgynevezett „fordított blokkoló üzemmód”, „előremenő blokkoló mód” és „előrevezető üzemmód”. Amint a kapu impulzussal aktiválódik, a tirisztor „előre vezető módba” kerül, és addig vezet, amíg az előremenő áram kisebb lesz, mint a „tartóáram” küszöbértéke.
A tirisztorok erősáramú eszközök, és legtöbbször olyan alkalmazásokban használják őket, ahol nagy áramok és feszültségek érintettek. A leggyakrabban használt tirisztoros alkalmazás a váltakozó áramok vezérlése.
Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor (IGBT)
Az IGBT egy félvezető eszköz, három terminállal, amelyek „Emitter”, „Collector” és „Gate” néven ismertek. Ez egy olyan típusú tranzisztor, amely nagyobb teljesítményt képes kezelni, és nagyobb kapcsolási sebességgel rendelkezik, így nagy hatékonyságú. Az IGBT-t az 1980-as években vezették be a piacon.
Az IGBT rendelkezik a MOSFET és a bipoláris átmenet tranzisztor (BJT) kombinált jellemzőivel. Kapuhajtású, mint a MOSFET, és olyan áramfeszültség-jellemzőkkel rendelkezik, mint a BJT-k. Ezért előnye a nagy áramkezelési képesség és a könnyű vezérlés. Az IGBT modulok (számos eszközből állnak) kilowatt teljesítményt képesek kezelni.
Röviden:
Különbség az IGBT és a tirisztor között
1. Az IGBT három kivezetése emitter, kollektor és kapu néven ismert, míg a tirisztornak anódként, katódként és kapuként ismert termináljai vannak.
2. A tirisztor kapujának csak egy impulzusra van szüksége ahhoz, hogy vezető üzemmódba váltson, míg az IGBT-nek folyamatos kapufeszültségre van szüksége.
3. Az IGBT egyfajta tranzisztor, és a tirisztor az elemzés során szorosan összekapcsolódó tranzisztorpárnak tekinthető.
4. Az IGBT-nek csak egy PN átmenete van, és a tirisztornak három van belőle.
5. Mindkét eszközt nagy teljesítményű alkalmazásokban használják.
