BJT vs IGBT
A BJT (bipoláris csomóponti tranzisztor) és az IGBT (szigetelt kapus bipoláris tranzisztor) kétféle tranzisztor, amelyet az áramok szabályozására használnak. Mindkét eszköz rendelkezik PN-csatlakozással, és eltérő az eszközszerkezetben. Bár mindkettő tranzisztor, jelentős különbségek vannak a jellemzőikben.
BJT (bipoláris csatlakozási tranzisztor)
A BJT egy olyan típusú tranzisztor, amely két PN átmenetből áll (egy p típusú félvezető és egy n típusú félvezető összekapcsolásával létrejövő átmenet). Ezt a két csomópontot három félvezető darab összekapcsolásával alakítják ki P-N-P vagy N-P-N sorrendben. Ezért a BJT két típusa, PNP és NPN néven elérhető.
Három elektróda csatlakozik ehhez a három félvezető részhez, és a középső vezetéket „bázisnak” nevezik. A másik két csomópont a „kibocsátó” és a „gyűjtő”.
BJT-ben a nagy kollektor emitter (Ic) áramát a kis bázis emitteráram (IB) szabályozza, és ez a tulajdonság erősítők vagy kapcsolók tervezésére használják. Ezért áramvezérelt eszköznek tekinthető. A BJT-t többnyire erősítő áramkörökben használják.
IGBT (szigetelt kapu bipoláris tranzisztor)
Az IGBT egy félvezető eszköz, három terminállal, amelyek „Emitter”, „Collector” és „Gate” néven ismertek. Ez egy olyan típusú tranzisztor, amely nagyobb teljesítményt képes kezelni, és nagyobb kapcsolási sebességgel rendelkezik, így nagy hatékonyságú. Az IGBT-t az 1980-as években vezették be a piacon.
IGBT rendelkezik a MOSFET és a bipoláris átmenet tranzisztor (BJT) kombinált jellemzőivel. Kapuhajtású, mint a MOSFET, és olyan áramfeszültség-jellemzőkkel rendelkezik, mint a BJT-k. Ezért előnye a nagy áramkezelési képesség és a könnyű vezérlés. Az IGBT modulok (számos eszközből állnak) kilowatt teljesítményt képesek kezelni.
Különbség a BJT és az IGBT között
1. A BJT egy áramvezérelt eszköz, míg az IGBT-t a kapufeszültség hajtja
2. Az IGBT termináljait emitternek, kollektornak és kapunak nevezik, míg a BJT emitterből, kollektorból és alapból áll.
3. Az IGBT-k teljesítménykezelésében jobbak, mint a BJT
4. Az IGBT a BJT és a FET (Field Effect Transistor) kombinációjának tekinthető
5. Az IGBT összetett eszközszerkezettel rendelkezik a BJT-hoz képest
6. A BJT hosszú múltra tekint vissza az IGBT-hez képest
