BJT vs FET
Mind a BJT (Bipoláris Transzisztor), mind a FET (Field Effect Transistor) kétféle tranzisztor. A tranzisztor egy elektronikus félvezető eszköz, amely nagymértékben változó elektromos kimeneti jelet ad kis bemeneti jelek kis változásaihoz. Ennek a minőségnek köszönhetően a készülék akár erősítőként, akár kapcsolóként is használható. A Transistor az 1950-es években jelent meg, és az informatika fejlődéséhez való hozzájárulását tekintve a 20. század egyik legfontosabb találmányának tekinthető. A tranzisztorokhoz különböző típusú architektúrákat teszteltek.
Bipoláris csomóponti tranzisztor (BJT)
A BJT két PN átmenetből áll (egy p típusú félvezető és egy n típusú félvezető összekapcsolásával létrejövő átmenet). Ezt a két csomópontot három félvezető darab összekapcsolásával alakítják ki P-N-P vagy N-P-N sorrendben. A PNP és az NPN néven ismert kétféle BJT számára elérhető.
Három elektróda csatlakozik ehhez a három félvezető részhez, és a középső vezetéket „bázisnak” nevezik. A másik két csomópont a „kibocsátó” és a „gyűjtő”.
A BJT-ben a nagy kollektor emitter (Ic) áramát a kis bázis emitteráram (IB) vezérli, és ezt a tulajdonságot használják erősítők vagy kapcsolók tervezésére. Ott ugyanis áramvezérelt eszköznek tekinthető. A BJT-t többnyire erősítő áramkörökben használják.
Mezőhatás-tranzisztor (FET)
A FET három terminálból áll, amelyek „Gate”, „Source” és „Drain” néven ismertek. Itt a leeresztő áramot a kapufeszültség szabályozza. Ezért a FET-ek feszültségvezérelt eszközök.
Attól függően, hogy milyen típusú félvezetőt használnak a forráshoz és a lefolyáshoz (a FET-ben mindkettő ugyanabból a félvezető típusból készül), a FET lehet N csatornás vagy P csatornás eszköz. A forrás és a leeresztő áram vezérlése a csatorna szélességének beállításával történik, megfelelő feszültség biztosításával a kapura. A csatornaszélesség szabályozásának két módja is van, amelyek kimerítésként és bővítésként ismertek. Ezért a FET-ek négy különböző típusban állnak rendelkezésre, mint például az N-csatornás vagy a P-csatornás kimerítési vagy bővítési módban.
Sokféle FET létezik, mint például a MOSFET (fémoxid félvezető FET), a HEMT (nagy elektronmobilitású tranzisztor) és az IGBT (szigetelt kapu bipoláris tranzisztor). A nanotechnológia fejlődésének eredményeként létrejött CNTFET (Carbon Nanotube FET) a FET család legújabb tagja.
A BJT és a FET közötti különbség
1. A BJT alapvetően egy áramvezérelt eszköz, bár a FET-et feszültségvezérelt eszköznek tekintik.
2. A BJT termináljait emitternek, kollektornak és alapnak nevezik, míg a FET kapuból, forrásból és lefolyóból áll.
3. A legtöbb új alkalmazásban FET-eket használnak, mint BJT-ket.
4. A BJT elektronokat és lyukakat is használ a vezetésre, míg a FET csak az egyiket használja, ezért unipoláris tranzisztoroknak nevezik.
5. A FET-ek energiahatékonyak, mint a BJT-k.
